國立臺灣大學 機械工程學系 儲能元件實驗室
薄膜濺鍍
最低使用時間:2小時
濺鍍源 2'' Dia 濺鍍源 * 3ea~4eaRF 600w * 1eaDC 500W * 2ea單片式 4'' Wafer加熱裝置300度 or 800度
2600元/2小時
濺鍍源 2'' Dia 濺鍍源 * 3ea~4ea
RF 600w * 1ea
DC 500W * 2ea
單片式 4'' Wafer
加熱裝置300度 or 800度
張可耕
劉俊廷
張可耕
2018-05-16
劉俊廷
2016-10-13