反應離子蝕刻機
國立高雄第一科技大學 機械與自動化工程系 無線生醫高分子微系統實驗室
1.氧氣電漿表面蝕刻
2.矽晶片蝕刻加工
3.二氧化矽蝕刻加工
4.氮化矽蝕刻加工
5.聚對二甲苯移除加工
服務項目分類：
表面改質
廠牌型號：
RIE-1C
購買日期：
2013年
收費標準：
| 650+10元/分 |
設備：
反應式離子蝕刻機(RIE-1C)
1.氣體: CF4、O2
2. 試片尺寸: < 4”
3. 蝕刻材料: Poly-Si, SiO2, SiNx,Parylene
4. RF 最大功率:200W
設備照片：
關於服務提供單位
