矽基電漿蝕刻系統(ICP)

國立成功大學 微奈米科技研究中心

透過Bosch process調整SF6 及C4F8的流量,利用交替變換蝕刻(Etching)和鈍化(Passivation)方式,確保導孔側壁幾乎呈平直狀態,並由射頻電源(RF)或是直流電源(DC bias)來做蝕刻的動作,以達到深蝕刻的目的。

廠牌型號: 
ELIONIX INC., EIS-700 Instruction Manual
加工精度及限制說明: 

 

1.主要為Si/SiO2/Si3N4高深寬比的乾式蝕刻 (Etching Aspect Ratio ≧ 15 : 1), Profile Angle  > 85度。

2.所有蝕刻參數均以電腦自動控制方式完成。

3.試片限制:僅接受2”~6” wafer或2cm x 2cm破片, 阻擋層需為PR Mask 及 Cr Mask(其他阻擋層需經中心同意)。

收費標準: 

學界 2,650/hr.

業界 3,970/hr.

(長時間蝕刻7折優惠)

設備照片:
關於服務提供單位
國立成功大學 微奈米科技研究中心
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註冊日期:2017-05-17