透過Bosch process調整SF6 及C4F8的流量,利用交替變換蝕刻(Etching)和鈍化(Passivation)方式,確保導孔側壁幾乎呈平直狀態,並由射頻電源(RF)或是直流電源(DC bias)來做蝕刻的動作,以達到深蝕刻的目的。
1.主要為Si/SiO2/Si3N4高深寬比的乾式蝕刻 (Etching Aspect Ratio ≧ 15 : 1), Profile Angle > 85度。
2.所有蝕刻參數均以電腦自動控制方式完成。
3.試片限制:僅接受2”~6” wafer或2cm x 2cm破片, 阻擋層需為PR Mask 及 Cr Mask(其他阻擋層需經中心同意)。
學界 2,650/hr.
業界 3,970/hr.
(長時間蝕刻7折優惠)