1.光學系統

(1)光學設計：Echelle-based 設計。

(2)解析度：至少 ﹤0.009 nm  at  200  nm。

(3)波長範圍：160 ~ 900 nm或更廣。

(4) Low UV 偵測：光室可以氮氣或其他氣體充填。

(5)波長校正：具有氖燈波長校正系統(Dynamic Wavelength Correction)設計。

2.偵測器

(1)雙固態半導體偵測器Dual Charge-Coupled Device (CCD)，解析度為176*128 pixels。

(2)背向式偵測器設計(Backside-illuminated CCD)。

(3)偵測器冷卻溫度：-8℃或以下。

3.電漿觀測系統

(1)電漿觀測系統：為雙觀測系統，兼具水平式及垂直式觀測系統。

(2)去除尾焰系統：水平式火炬採Shear gas設計去除尾焰。

(3)可由電腦調整電漿觀測位置。

4.RF產生器

(1)頻率：40 MHz或以上

(2)Free-Running Solid-state RF generator。

(3)輸出功率：至少介於750-1500W，調整單位為 1 W。

(4)輸出功率可由電腦軟體調整,每個 Step 為< 1Watts。

5.進樣系統

(1)進樣系統(霧化器及混合腔)--a.抗氫氟酸(HF)一組；b.有機進樣系統一組。

(2)電腦控制式蠕動幫浦，可調範圍至少為0.2~5 mL/min，調整單位為0.1 mL/min。

(3)具備至少3 channel蠕動幫浦且具有快轉清洗裝置。

(4)具Mass-Flow Controller設計，電腦軟體可調整霧化流速。

6.資料處理系統

(1)需具資料再處理功能，可在線上或是離線處理資料。

(2)具預約操作功能，包括熱機、自動點火、分析完畢自動熄火。

(3)可使用不同之電漿參數，包括霧化氣流、輔助氣流及電漿功率。

(4)具光譜放射強度資料之儲存能力與具硬體設備診斷之功能。