1.薄膜繞射
2.塊材繞射
3.高溫繞射量測
1.多晶薄膜繞射:
樣品準備:塊材樣品,0.5CM × 0.5CM 若為低略角建議試片大小 1CM x 1CM
(膜厚:20~200nm)
2.Rocking curve:
樣品準備:磊晶薄膜樣品,大於1cm × 1cm
(需已知欲測之繞射主峰角度 (2 Theta),磊晶層數,各層大約厚度及成份)
3. 高溫繞射:
試片建議大小為 1.8cm x1.8cm ~ 2.8cm x 2.8cm之間 ,試片厚度不得超過 5mm,
測試材料不得為高分子或易揮發材料,請清楚知道自己的材料熔點為幾度,避免試片揮發或熔解於拍攝平台上。
本儀器最高溫度可達 900℃,最高溫速率 1℃/sec
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校內(含中區技職伙伴學校) |
校外 |
塊材及薄膜繞射量測 |
NT 300/hr |
NT 350/hr |
高溫繞射量測 |
NT 500/hr |
NT 750/hr |
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校內(含中區技職伙伴學校) |
校外 |
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塊材及薄膜繞射量測 |
NT 300/hr |
NT 350/hr |
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高溫繞射量測 |
NT 500/hr |
NT 750/hr |